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规格书 |
NTMFS4744N |
文档 |
Multiple Devices 24/Jan/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.6 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 17nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1300pF @ 12V |
功率 - 最大 | 880mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8SO-FL |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 11 A |
RDS -于 | 10@10V mOhm |
最大门源电压 | 20 V |
典型导通延迟时间 | 12 ns |
典型上升时间 | 203 ns |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
典型下降时间 | 83 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
最大门源电压 | 20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DFN |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 10@10V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | SO-FL |
最大功率耗散 | 2200 |
最大连续漏极电流 | 11 |
引脚数 | 8 |
铅形状 | Flat |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
供应商设备封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 7.6 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 880mW |
标准包装 | 1,500 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1300pF @ 12V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 17nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | NTMFS4744NT1GOSCT |
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